E.X.I.T

8대공정
1.웨이퍼 2.산화 3.포토 4.식각 5.박막(증착, 이온주입) 6.금속배선 7.EDS 8.패키징

1.웨이퍼공정 ★
1) 모래에서 실리콘 원료추출 -> 녹임 ->고순도 실리콘 용액 ->잉곳제조
2)잉곳절단
  -웨이퍼 얇을수록 원가절감
  -웨이퍼크기가 클수록 두께는 어쩔수 없이 증가
3)웨이퍼 표면 연마

2.산화공정 ★★
웨이퍼에 산화막 입히는 증착공정
Si기판위에서 산소와 수증기를 이용하여 막을 형성 
산화물 : 산소와 다른 원소와의 2원화합물 총칭
○산화막 역할
  1. 불순물로부터 실리콘 표면 보호
  2.웨이퍼 위 배선 합선 안되도록 절연막 역할
  3.MOSFET구조하에서 Oxide(산화물) 절연막 역할

1) 건식산화
O2만을 이용해 얇은 막을 형성할 때 사용. 전기적 특성이 좋은 산화물 생성
Si(solid) + O2(gas) = SiO2(Solid)

2)습식산화
산소 O2와 수증기 H2O를 모두 사용해 산화막 형성속도가 빠르다. But 다소 두꺼운 막 형성. 절연특성이 상대적 별로
(건식보다 약 5~10배 두껍다)
Si(solid) + H20(gas) = SiO2(Solid) + 2H2(gas)

건식산화와 습식산화는 산화공정의 여러변수중 하나인  Oxidant(산화재: O2, H2O)에 따른 구분

○열산화공정의 과정
1) Wafer Cleaning (Wet Station) : 웨이퍼클리닝, 웨이퍼 기판위에 자연으로 형성되는 Native Oxide(SiO2)막을 제거
                                            자연적으로 공기랑 만나 생성되는 SiO2막은 변수이므로 제거. 
                                             HF(무수불산)을 이용하여 선택적 제거.
2) Thermal Oxidation(Furnace) : 열의 산화(물품가열하고녹임), 열로 산소결합, 수소out
                                           Furnace를 이용 900~1200도 온도로 건식/습식 공정 진행. 
                                           Furnace장비를 통해 적절한 온도와 가스를 넣어주며 산화공정진행.

3) Inspection(Ellipsometer) : 마지막으로 검사 진행. Laser Ellipsometer이용 산화막 평균두께 확인

○ 산화공정이 사용되는 이유 & 용도
산화막이 적용되는 주요 Layer에 대한 이해-배선간의 isolation(분리), passivation(보호), MOSFET구조 게이트 절연막, 캐패시터 산화막, Diffusion 및 이온주입 공정 마스크 역할.
1) MOSFET에서 Gate Insulator(게이트 절연막) 형성
    트랜지스터가 한쪽으로 전류 흐르면 다른쪽은 못흐르게 막아야하니 이것이 게이트절연막이 된다.
     SiO2의 Gate Oxide(산화물)은 SiO2-> SiON->HfO2로 High-K소재로 변하게 됨
2) Isolation(소자 간의 격리) - LOCOS->STI
  소자가 점점 작아짐에 따라 소자간의 전류가 흐르는 것을 막기 위해 소자의 사이사이에 산화막을 넣기시작
   ▷LOCOS란 Local Oxidation of Silicon의 약자, Si층 위에 SiO2산화막을 형성하여 isolation 층을 형성
     산화막이 불균일한 Bird's Beak 현상 발생
   ▷ STI(Shallow Trench Isolation)은 Nitride(질화물)과 PR도포 -> Etching 진행 -> CVD방식 이용하여 Depostion(증착)      ->CMP 및 Nitride Strip 진행 -> isolation 형성,
      결국 균일한 산화막 형성가능, 저온공정에서도 제작가능, STI방식이 주류

3) Mask Layer (선택적 식각 가능)
  이온공정 또는  선택적식각공정에서 원하는 부분만 공정가능하도록 하는 Mask Layer역할
  Mask Layer는 산화막을 이용하여 PR을 대신
 이온주입공정을 통해 제조하는 Source 와 Drain의 경우 Doping(결정의 물성을 변화시키기 위해 소량의 불순물을 첨가   하는 공정)하고자하는 영역에 있는 SiO2를 선택적으로 식각(깎고)하고, 식각이 된 부분에는 Dopant(전기 전도도를 변화
 시키기 위해 반도체에서 의도적으로 첨가시키는 불순물) 를 주입한다. SiO2로 덮인 부분은 Doping되지 않는다.

4) Cap Dielectric(유전체)
  유전체 : 양 끝단에 전압 인가 시, 양쪽 표면에 서로 다른 극성의 전하가 유기되는(쌓이는) 물질을 유전체라 한다.

산화막(SiO2)는 DRAM의 유전막을 담당. 하지만 산화막보다 유전율이 높은 High-K Dielectrics유전막을 사용하는 방식으로 발전. 유전막물질은 SiO2->ONO->Al2O3->HfO2->ZrO2로 변경

5) Passivation(반도체 칩 표면에 보호막을 씌움), ILD, IMD
ILD(inter layer Dielectrics)는 칩의 소자를 연결하는 층사이의 알루미늄이나 구리배선의 절연막
IMD(inter Metal Dielectrics)는 반도체 층 내에 있는 금속배선이 합선되지 않도록 절연하는 역할
Passivation은 소자를 보호하는 역할

3.포토공정 ★★★
회로를 그려놓는 공정. 
Photo(빛) + Litho(돌) + Graphy(인쇄술) : 빛을 이용해 돌을 찍어내는 기법
멀티패터닝의 개념이 등장하게 된 배경도 미세화를 달성하기 위함.
증착, 식각 등에서 공정에서 동반되는 공정
무수한 포토공정 횟수를 통해 반도체 회로는 끊임없이 만들어지고 지워진다.

<포토공정은 7개의 세부공정>
①웨이퍼 준비 : 웨이퍼 표면에 HMDS(Hexa methylene disilazance)라는 물질을 도포하여 수분제거

②PR 도포 (Spin Coating방식)
   -감광액(Photoresist.PR) : 특정파장대 영역의 빛을 통해 광화학 반응을 일으키는 물질 (=빛에 반응하여 분자구조가 바뀌게됨), 현상(development)공정을 통해 반도체 미세패턴을 형성.
   -PR의 3가지 재료
    1) Solvent : Resin(Polymer)를 녹여 액체상태로 만드는 용매역할. 점도를 결정. PR의 97%
    2) Resin(Polymer) : 단위분자가 수천개씩 결합한 상태로 현상 후 패턴으로 남아있는 resist 의 실체
    3) Photo Active Compound (PAC) : sensitizer라고 불리며, 현상공정에서 resin을 녹게하거나 녹지않게 하는 역할. 
                                                 PAC 반응에 따라 positive PR, Negative PR을 나눔.
   
   - Spin Coating 방식을 사용하여 웨이퍼 위에 소량으로 PR을 뿌린 후 빠른속도로 회전시켜 균일하게 도포
     PR의 두께는 균일해야함. 

  - 문제점
     1) Edge Bead : PR가장자라기 두껍게 도포(장력효과). 에탄올로 끝부분을 제거
     2) Streaks : 웨이퍼 불순물에 의해 발생, 줄무늬가 발생 -> 확실한 클리닝 & 스핀코팅시 속도와 시간을 증가

③소프트베이크(Soft Bake)
  - PR과 함께 있는 solvent를 제거하여 PR이 기판위에 잘 달라붙게함.
  - 60~100도에서 액체상태인 PR을 경화(단단하게 굳게)하는 과정 -> Solvent 증발 -> resist 밀도 증가
    Solvent 가 남아있으면 빛을 흡수하여 차후 노광이 안되는 영역이 발생
  - Microwave Heater(Hot plate) 나 IR oven사용

      
④노광(Lithograpgy-Aligment and Exposure) <포토공정핵심>
  - 패턴이 형성된 mask 기판과 align(정렬)하고 빛을 선택적으로 쏘아 패턴 형성
  - Exposure(빛의 노출) 3가지 방식
     1) 접촉식 노광 (Contact)
         PR층과 mask가 매우 가까워 빛의 회절에 의한 영향을 적게 받아 미세패턴만드는데 유리
         But mask가 PR에 닿아서 mask가 오염에 의해 손상
     2) 근접식 노광 (Proximity)
         오염 및 mask 손상 X, mask 교체 유리
         But 빛의 회절->미세패턴 어려움. 주로 큰패턴 사용
     3) 투영식 노광 (Projection)
         광원과 웨이퍼 사이에 condenser lens 등을 삽입하여 mask(reticle) 패턴을 축소하여 노광
         오염 및 mask 손상X, 회절X -> 미세패턴 가능
         But 복잡, 고가, 긴 노광시간.
         노광장비는 Stepper 와 Scanner로 나뉨. 
         Stepper(사진기)는 발자국 찍듯. 하나의 마스크 패턴을 한번에 1:1비율로 노광
                      한방에 찍는 방법이다 보니 Lens 그림을 보면 4곳의 모서리쪽에서 수차나 왜곡이 생긴다. 
                      즉, 노광 -> 이동 -> 노광 -> 이동을 계속해서 반복하는 노광 장비이다.
         Scanner(스캐너)는 웨이퍼를 이동하며 하나의 마스크를 지나면서 한줄씩 인쇄. M:1 축소 노광가능->초미세공정
                      150nm공정 이하에서 Scanner방식. 해상도 좋음. 대부분 사용
                      Lens의 가장 좋은 부분의 이미지만 잘라서 스캔하는 방식의 노광 장비이다.
                      스캔 노광 -> 이동 -> 스캔 노광 -> 이동 의 방식을 계속해서 반복.

⑤노광 후 베이크 공정(post-exposure bake)
  - PAC(Photoactive compound)를 확산시켜 PR표면을 매끄럽고 평탄하게 하기 위해 가열 및 건조
    PR이 빛을 받을때 간섭으로 인해 발생되는 패턴 측면의 물결무늬(standing wave)감소

⑥현상(Development)
  - developer(현상액) 을 이용 일정부위의 PR을 제거하여 패턴을 형성
    노광 후 필요없는 부분을 제거, 가장중요한것은 현상시간
  - Positive PR : 빛이 들어올경우 빛을 받지 않는 부분은 PR이 남고, 빛을 받은 부분은 현상하여 제거.
    Nagative PR : 빛을 들어올경우 빛을 받은 부분은 PR이 남고, 빛을 받지 않은 부분은 현상하여 제거.

⑦하드베이크(Hard Bake)
   - 현상(develop) 공정이후 남아있는 찌꺼기(솔벤트, 현상액잔여물)를 제거, PR을 다시 공정
   - PR을 더 단단하게 만들어 이온주입, 식각등 후속공정 견디도록 내구성 UP
   - 120~180도 에서 20~30분 동안 구움

⑧ 검사(Inspectio) 
   - 포토공정은 다른 공정과 달리 실패하였을 경우 다시 진행가능. Re-work
   - 검사해서 PR이 알맞게 도포 되었으면 Etching(식각)공정 진행.
     

4.증착공정 ★★★
웨이퍼 위에  특정한 물질을 일정한 두께를 가지도록 입히는 과정

PVD(물리적 기상증착) : 특정 물질에 직접 에너지를 보내 증착
   - 금속막증착시 사용. 저온공정. 안전. 막질이 우수. 불순물 오염이 낮음
   - 열증발법(Thermal Evaporation), 전자빔증발법(E-Beam Evaporation), 스퍼터링법(Sputtering)

 
CVD(화학적 기상증착) : 가스들의 반을으로 물질을 증착
   - 가장 많이 사용. 방식이 간단하고 저렴. 선택비가 높음. 불순물 오염정도가 높음

ALD :원자단위 증착. 박막의 선택도 우수. 공정컨트롤 쉬움. But 긴시간 소모. throughput(처리량) 떨어짐

증착기술 trend가 ALD로 넘어간다고 생각하기 쉬우나 꼭 그런것은 아님
현재 CVD 가장 많이 사용 : HDPCVD, ALCVD 등으로 기술 발전. 
                                    Passivation, STI, IMD, Gate에서는 CVD방식 주로 사용 
ALD 도 배치타입 ALD으로 처리량 행상위해 노력
DRAM Capacitor, Gate Oxide(HKMG)에서는 ALD 주로 사용          
각 Layer에 맞는 증착방식 적용, 서로 함께 발전중.

○PVD 공정
    -증착할 물질에 직접 에너지를 인가하여 증착
    -CVD에 비해 증착속도 느림, But 박막의 품질이 우수.
    -1) 도가니 안에 담긴 물질을 끟여 기화시키는 증발법(Evaporation)
     2) 양이온을 타겟 물질에 입사시켜 떨어진 타겟 물질을 웨이퍼에 증착시키는 스퍼터링(Sputterting)

○CVD 공정

    -고온의 웨이퍼 표면에서 가스반응
    -CVD 핵심 제어 요소는 진공압력, 온도, 화학적 원소.
    -막의 두께를 얇게, 밀도는 높이는 방식으로 진화
    -CVD방식은 압력을 기준으로 구분. 압력을 낮출수록 더 정밀하고 균일.
    -But 저압상태는 공정시간 길어짐. 반응속도를 유지하려면 웨이퍼 온도를 높여야함
    -But But, 열온도를 높이면 막에 주는 스트레스가 커짐 -> 해결하기위해 플라즈마 에너지보충하여 증착(PECVD)
    -불순물때문에 PECVD는 막질의 상태가 별로 -> 플라즈마식각과 증착을 함께 이용하는 HDPCVD 사용 

    *APCVD, LPCVD : 균일도 한계, 8인치 웨이퍼 사용, 12인치 웨이퍼사용되는 현재는 거의 적용X
    *LPCVD : 저압상태-> 공정시간 길어짐 -> 온도를 높여야함. APCVD에 비해 온도 2배 증가
                하부에 위치한 Poly Gate, Gate Oxide는 온도 높여도 하부에 녹는막이 X.
                상부에 위치한 IMD는 word line(?) 녹음 ->PECVD 개발
    *PECVD : 저압+낮은온도(400도). 열에너지 대신 플라즈마 에너지를 보충 사용
                 플라즈마상태(분자상태로 존재하는 기체가 이온으로 나뉜상태), 즉 이온화된기체 -> 화학반응 -> 원하는 물질은 기판에 고르게 쌓임 -> 나머지 이온들은 결합하여 기체로 배출
                 PECVD는 이온화된 여러 입자중 Radical을 사용. 저온에서도 다른 원소와 쉽게 화학적 결합하므로.
                 But, Radicald은 막질의 상태가 별로. -> CVD공정이후 CMP공정 동반 -> 막의 품질이 떨어져도 무방한 위치에 사용(즉, 층간 절연막, 예를들어 IMD,ILD 일종인 SiO2 형성할때 사용)
    *HDPCVD : 플라즈마 증착과 식각을 모두이용. 이 둘의 속도를 조절하여 Layer를 형성. 막질의 두께가 일정
                    특히, 식각으로 사이공간 확보-> 증착이 쉬워짐 -> void 발생확률 감소 -> 미세화 공정
                     STI형성하는데 사용
○ALD 공정
    *ALD(원자단위증착) : CVD, PVD보다 얇고 미세한 막 형성. 
        - Precursor(전구체) 화학물질과 특정반응물질(Ractant)을 번갈아가면서 주입->웨이퍼표면에만 화학반응 유도
        - Precursor,Ractant 화학반응으로 원자층을 하나씩 쌓아가는 미세 박막 증착기술.
        - 1개층(1cycle)씩 쌓이므로 원자층수 파악 -> 두께관리 용이 
           ALD은 흡착/치환/생성/배출 통해 1cycle 지나며 원자 1층 형성 (원자1층 : mono layer)

      - ALD은 주로 1)DRAM  Capacitor 형성, 2) DRAM 및 Logic에서 Gate Oxide 증착, 3)3D NAND에서 칩 가장아랫단까지 전극역할하는 텅스텐을 증착시키는 공법 ->초미세화 수요증가 공정 
      - 단점은 생산성. But, 배치타입ALD(웨이퍼 한꺼번에 투입하여 처리량증가) & 웨이퍼를 움직이면서 박막진행하는 Spatial Type공법 개발중 + 원자층을 식각에 활용하는 원자층 식각공법(ALE) & 웨이퍼표면에만 원자층 증착하는공법 개발중 + 플라즈마 사용하여 저온에서도 박막증착 가능한 PEALD기술 & PEALD 에서 플라즈마가 주는 데미지를 최소하 하기 위한 RPEALD(Remote PEALD)  개발중.
      - 삼성전자는 Selective ALD(영역 선택적 ALD) 기술 개발중. 원하는 구역에만 절연막 혹은 금속막 형성
        Selective ALD : 노광-증착-식각-CMP공정을 ALD증착 한번으로 단순화
     - ALD시장 : single type 경우 ASM International, Lam Research가 60%이상
                     국내는 원익IPS, 주성엔지니어링, 유진테크(Batch Type ALD 국산화)
                      Batch Type ALD는 TEL이 독점                      

    ※ CVD 와 ALD 비교
        CVD는 챔버안 진공공간과 웨이퍼 표면 모두 화학반응이 일어나 막이 쌓임
                  소스를 지속적으로 공급할수록 이와 비례하여 증착막 두께가 두꺼워짐
        ALD는 표면에서만 반응->막 두께를 절반으로 구현.
                 원자층 형성에 쓰이지 않는 원자는 튕겨져 나감->기존 박막보다 일정한 굵기.
                 소스를 지속적으로 공급해도 공간분할방식으로 원자층은 1개층만 쌓임 

○ 증착 및 시각 공정의 주요인자
1) Step Coverage(단차 피복성 S/C)
    - 단차에서 일정한 두께를 유지하는 여부, 균일도
    - 높이나 위치 상관없이 균일한 두께
    - s/t가 1에 가까울수록 S/C가 우수
    - 단차가 있는 부분은 안쪽이 잘 안쌓이

2) Uniformity (균일도)
    - 일진선 상에서 균일한 증착 및 식각정도 판단 (주로 시각공정)

3) Selectivity(선택비)
    - 식각공정에서 사용. 
    - 물질a : 식각을 원하는 물질(Etch Target),
      물질b : 식각을 원하지 않는 물질(Mask Layer)
    - 물질a식각속도 / 물질b시각속도
    - 선택비가 클수록 잘되는 Ethching 공정

4) 등방성(Isotropic) / 비등방성(Anisotropic) 식각
    - 등방성 식각 : 모든 방향으로 식각속도가 같은것 -> 주로 화학적 식각(Wet Ethcing)
    - 비등방성 식각 : 수직 및 수평간 식각속도가 다른것 -> 주로 건식 식각(Dry Ethcing)

5) Void 발생 유무(Gap Filling 능력)
    - S/C가 우수하지 못한경우 단차 사이에 빈 공간이 생김
    - 사이 공간을 증착으로 채우다보면 잘 안채워져 (c)처럼 채워지고 빈공간이발생
    - 이공간을 PVD 공정에서 Void, CVD공정에서는 Seam 이라함

5.이온주입공정 ★★
반도체는 기존 부도체형태에서 불순물(도펀트)를 주입하여 반도체 성질을 가지게됨
Source와 Drain 단자를 형성

○ 열확산(Thermal Diffusion) 공정
- 가스형태의 불순물을 공급 -> 높은 온도로 가열 (산화공정과 비슷)
- 비용 저렴, 쉬운 난이도, 
- But, 정밀한 농도제어 어려움, 공정 온도 높음

○ 이온주입(Ion Implant) 공정
- 도핑 물질을 이온화 한 후, 가속하여 웨이퍼 표면에 주입
- 전자충돌->도핑물질이 이온화->발생하는 이온중 원하는 이온 선별->전기장을 통해 강제로 웨이퍼에 주입
- 에너지가 강해, 실리콘이 파괴되기도함 -> 어닐링(Annealing) 공정 동반 필요
- 채널링현상 : 이온이 지나치게 깊숙히 도달하는 현상 -> 약간의 각도를 틀어서 입사시켜야함 ->but, Shadowed Region 발생 -> 어닐링(Annealing) 공정 필요
- 어닐링(Annealing) 공정 : 고온에서 짧게 진행하는 RTA(Rapid Thermal Annealing) 방식

○ 이온주입 공정변수
1) 도펀트 : 도펀트 종류는 도핑 농도에 영향
2) 에너지 : 에너지가 높을수록 도펀트가 깊숙히 들어감, 충분하지 못하면 도펀트가 튕겨져 나옴
3) 단위면적당 도핑정도 : 과하다고 좋은건 아님. 적당량의 Dose 선택
4) 기울기 : 이온이 원자에 부딪히지 않고 깊숙이 들어가는 현상 Channeling. -> 막기위해 7도로 기울여서 쏨

○ 이온주입 진행과정
실험순서 : 이온주입 -> Annealing ->Inspection
1) 이온주입

2) Annealing : 주입된 이온과 전자들이 제대로 자리잡도록 고온 열처리
                    1) 실리콘 격자 손상 복구  2)주입된 불순물의 전기적 활성화

3) Inspection : 도핑된 웨이퍼는 두께도 색깔도 변하지 않아서 면저항을 측정하여 그 정도를 알아볼수있음

6.식각공정 ★★★
웨이퍼 위에를 형성된것을 깎는것
주로 포토공정 이후 PR로 보호되지 않는 영역을 제거하는 용도
식각 물질(Etchant)의 식각 대상 표면까지 확산 -> 화학적 반응(Reactants) -> 반응 부산물의 용액으로 확산

▶식각속도 : 시간당 얼마나 식각 -> (식각된두께)/(식각시간)
▶선택비 : 식각을 원하는 물질 식각속도 / 식각을 원하지 않는 물질 시각속도 (클수록 좋음)
▶식각방향(Etch Profile) : 수평의 시각정도 / 수직의 식각정도 

▶플라즈마 : 플라즈마란 고체 액체 기체 말고 제 4물질 상태.  고온에서 이온과 전자가 분리되 있는 이온화된 상태 (네온사인, 번개, 오로라)
                플라즈마 형성시 Ar많이 사용.

○ 습식 식각(Wet Etch) 
- 용액을 이용
- 미세패터닝 기술이 어려워서 건식식각을 더 많이 사용
- 1) Dip 방식 : 화학용액에 담금
     발전된 Immersion 방식 : 현재주로 사용. 부식액에 담가 식각진행 -> 용액을 씻어내는 린스 ->린스액을 말리는 Dry과정
  2) Spray 방식 : 화학물질을 스프레이로 뿌림
- 실리콘(Si)식각 과정 : HF, 질산(HNO3), 과산화수소(H2O2), 탄산(CH3COOH) 혼합물 사용
- 등방성을 가지므로 미세패턴 형성 어려움, 오염위험
- PR아래쪽도 깎는 under cut문제

○ 건식 식각(Dry Etch) 
- 플라즈마를 이용 플라즈마의 반응성 기체에 의한 화학적 식각
- 1) High Pressure Plasma Ethching
     플라즈마 반응성 기체(염소or불소)에 의한 화학적 식각
     웨이퍼 표면에 휘발성있는 화합물을 형성하여 식각
     등방성 식각 형태, 원하지 않는 부분도 식각
  2) Physical Etching(Ion Milling) 
     플라즈마 이온을 이용하여 운동에너지를 가속화해 식각하고자 하는 물질의 결합에너지를 끊어 식각
     Sputtering식각
     이방성 식각 but 선택비가 떨어짐, 처리량이 떨어짐
  3) RIE (Reactive Ion Etching)
     위의 두가지 혼합, 각 단점을 보완
     반응성기체를 챔버에 주입 -> 높은 주파수 가함 -> 양성자와 전자가 끊어짐 -> 플라즈마 이온생성 -> 챔버 양끝의 전극차로 전기장 생성 ->이온들이 전기장을 타고 기판에 충돌(물리적반응식각) or 이온들이 화학적 작용을 통해 기판과 결합후 떼어짐(화학적 식각)
     비쌈, 독한 가스 생성. 유해가스 정화 필요.

○ 국내 현황
- dry etcher 제작 할수있는 업체 극소수
- 증착공정(ALD장비)보다 더 난이도 높음
- DRAM, Logic은 노광공정이 중요
- 3D NAND 기술은 식각과 증착이 중요 -> ADL공정과 더불어 ALE 공정이 확대될듯

7.금속배선 ★★
-다양한 소자를 전기적으로 연결
-반도체 공정이 3D화 되면서 기술 수요와 난이도가 증가
-배선위한 금속의 필요조건
1)낮은 전기저항(Au(금),Al(알루미늄),Cu(구리),W(텅스텐),Ti(티타늄))
2)웨이퍼와 부착성 
3)열적/화학적 안정성
4)패턴형성 용이성
5)높은 신뢰성
6)낮은 제조가격
7)낮은 배선저항 - 저항이 상승하면 신호 전압 감소,소비전력증가, 온도증가
8)낮은 배선용량 - 용량증가하면 인접배선사이에 문제발생, 소비전력증거
9)발열 - 열전도율 높은 배선이 유리

○ 재료의 변화 Al->Cu
- 재료특성이 좋음.But 배선 형성 공정이 복잡해짐
- 증착방식은 CVD
- 구리는 식각이 어려워서 구리를 증착시킬 부분을 미리 파놓고 구리를 증착
   이후, CMP라는 물리 화학적 방법으로 갈아버림

○재료의 변화 Cu -> Co(코발트)
- 전자이동 밀도 증
- 구리쓸때 확산방지해야되서 베어러층필요했는데 필요없어짐->저항이 줄어듬

21.2Q반기보고서 중
○ 사업의내용
1)콘크리트부분

원재료 : 콘크리트, 철물 -> 삼일씨엔에스(PHC) : 건자재 구조물 -> 고객 : 인프라/플랜트/건설

2)스틸사업부분

원재료 : ?? -> 삼일씨엔에스(PHC) : 스틸(철)사업  -> 고객 : 국가(고속도로, 육교, 다리)

○ 판매경로 및 판매방법

○ 사업부문별현황
<콘크리트사업부>
초고강도 파일, 대구경 파일 및 기능성 제품 등 마진율이 높은 제품
건축분야에서 지하주차장, 지식산업센터, 물류센터 및 플랜드 구조물 
토목분야에서 교량, 터널세그먼트, 전력구 등 많은 건설 구조물
정부의 정책적 건설수요와 부동산 정책에 상당한 영향
PC적용분야가 추후에 넓어지고 물량이 증가 됨에 따라 PC산업을 시작하고자 하는 업체가 증가되어 경쟁의 심화가 예상
콘크리트파일은 철강자재가 전체 원재료에서 차지하는 비중이 절반
파일제품은 대부분 대형 건설사들에게 공급
아파트 지하주차장, 물류센터분야에서 적용 비중이 증가

<스틸사업부>
사회간접자본 투자 축소 등 영향으로 성장세 둔화가 예상
정부에 의한 국내 경기 조절의 주요한 수단
해상 풍력 시장의 확대가 예상
강교 공사의 총 물량 감소에 따른 경쟁의 심화
강교는 타 산업에 비해 인력 투입 비중이 높은 산업
 주 원재료인 강판, 후판 등의 경우 포스코, 동국제강, 현대제철
 원재료 가격의 변동에 따라서 제품의 원가가 영향

○ 21.2Q 특이사항

기타충당부채전입액이란?
기타/충당부채/전입액(=충당금)
충당부채 : 지출의 시기 또는 금액이 불확실하지만 추정금액(예상되는금액)을 부채로 인식 ( as 등등)
              장래에 발생할 것으로 예상되는 비용이나 손실에 대하여 그 원인이 되는 사실은 이미 발생했다고 보고 당해 비용 전부/일부를 미리 적어놓음

> 파일 업체 담합과징금 발생했던 게 지금 이 "기타충당부채전입액" 아닐까?

> 내용이 맞다. 담합 과징금 261억이 삼일씨엔에스에 징수되었다.

○ 21.2Q 재무제표

계약금액이 지속적으로 줄어듬. 기존건 줄어들지만 지속해서 증가해야 좋은거 아님?

원재료매입 → 생산실적 →판매가 → 매출액

호황기인 16년도와 비교 (하지만 16년도 처럼 무작정 때려박을순 없을듯)

○ PQC로 계산해보기
Risk : 재고가 늘어나고 있음 -> 가격이 비싸서 안사나..
원자재 가격 전가가 가능한가?

* Price
시멘트 가격 
PHC가격 (건설업 호황기때는 130000원)
67        ->  75         -> 78.5  (17.16%인상)
101,200 ->  100,700  ->  127,000 (25.50% 인상)
P는 최대 13000원까지 예상

* Q수량
원자재 매입수량이 생산실적에 바로 연동
21.2Q 원자재 매입량 엄청 증가 
전분기대비 30% 증가. 생산실적도 30% 증가 
Q는 현재 생산능력을 참고해서 300,000까지 예상

*PHC 분기매출액 예상
13000*300000=390억
영업이익률 15% = 59억
*스틸 분기매출액 예상
추세를 봐서 보수적 = 15억 분기영업이익
삼일씨엔에스의 3Q,4Q예상 분기영업이익은 74억
16년도 영업이익대비 당기순이익은 67%적용하면 21년도 분기당기순이익은 50억 (74억*67%)
16년도 당기순이익 : 375억 (PER6시절)
21년도 당기순이익 : 38억 + 53억 +50억 +50억 = 191억
만약 내년 초호황이 이루어진다면 : 65억 + 65억 + 65억 + 65억 = 260억까지 봄

<191억>
PER6 : 9000원
PER10 : 15000원

<초호황 예상 260억>
PER6 : 12250원
PER10 : 20000원

현재 P가 증가로 보나 Q증가로 보나 15000원까지 upside는 있음
초호황이 이루어진다면 20000원까지 볼수 있을듯 (2년바라봄)

Feat.동양파일

아주넉넉히 3Q,4Q 당기순이익 25억 잡아주면
21년도 당기순이익 18+20+25+25 = 88억
만약 내년 초호황이 이루어진다면 : 30억 + 30억 + 30억 + 30억 = 120억까지 봄

<88억>
PER6 : 2640원
PER10 : 4400원

<120억>
PER6 : 3600원
PER10 : 6000원

윤활유 및 그리스 : 기계의 마찰면에 생기는 마찰력을 줄이거나 마찰면에서 발생하는 마찰열을 분산시킬 목적 / 반고체 상태로 사용하는 윤활유(그리스)

한국 쉘석유는 윤활기유가격을 바로 윤활유 가격에 전가할수 있을까!??

21.2Q 윤활류 480억. 3년내 최대치
PQC로 MY계산 21.2Q 대략 430억
PQC로 MY계산 21.3Q 대략 480억
21.3Q 윤활류 480~500억 예상

21년도 윤활유 매출 450+480+500+500 = 1930억
윤활류는 전체 매출의 80%정도차지
쉘석유 전체 매출은 2400억
영업이익 360억 / 당기순이익 300억

*만약 21년도 윤활유 매출이 2000억 나온다면
영업이익 375억 / 당기순이익 325억

21년도 시총계산/주가 예상
300 X PER11 = 3300억 / 253000원 (현실적)
300 X PER 9 = 2700억 / 208000원

325 X PER11 = 3575억 / 275000원
325 X PER9 = 2925억 / 225000원 

10월1일 -> 현재금액 : 280000원 (고평가)
가격 전가도 미비하고, 가격이 올라도 21년기준 현재 주가가 딱 자기주가! 
기대할껀 value 재측정인데, 사양산업이므로 특별히 기댈껀 없고, 역대 value가 제일 최하라는것
value가 최라면 이유가 있음
유일한 기대값은 전기차윤활류      

%)21년 2Q

매출액 / 영익 / 당순
150억 / 31억 / 29억

전년동기 매년 꾸준히 15~30%씩 증가중

P:  1. 시험인증비  : 항목이 너무 많아서..HCT가 측정하는거 같은데 앞으로 비용상승이 있는지 지켜보자.
                     

2.교정 시험 인증비용->3.9% 증가

1회성이지만 21.2Q~4Q는 전년동기 기본 +4%
시험수수료 인상이 꾸준한지 지켜볼필요. 교정은 8년만에 한번 올린거라..앞으로 더 안오를듯

P보단 Q에 집중

Q:교정 대상

50%를 차지 하는 정보통신기기 (무조건 여기서 비벼야함): 스마트폰, 태블릿, 유무선 통신기기 등
 -> 5g투자에 영향을 받을꺼 같지만 5g와 상관없이 꾸준히 20~30%씩 매출 우상향중
     스마트폰, 태블릿은 어쨋든 계속 만듬 + 지연된 5G 수요

교정분야 (30%) : 미비하지만 꾸준히 증가. 21.2Q부터 교정금액 4%인상효과

차량(10%), 배터리(4%), 군용(4%), 환경(3%),상품(2%) 등 매출에서 미미한 비율

매출기준 전부분 고르게 꾸준히 10~20% 성장중

BUT 향후 먹거리 배터리 & 방산 & 우주 
21.8월 배터리 제품 전용 방폭 시험동인 ‘그린에너지동’을 준공
10억(19년)  -> 16억(20년) -> 25억(21년, 21.2Q 12억)
배터리 성장과 함께 급격성장, 2년간 100%성장.
지금까지 배터리 시험인증은 해외에서 진행.
라이벌은 공공기관인 KTL(여기도 배터리시험기관인증)

C : 비용
향후 먹거리위해 유형자산등 시설투자를 많이 했지만 그만큼 영업이익현금도 늘어서 방어가 됨.
벌어들인돈의 80%~85% 정도를 투자 진행중.

P Q C 종합
P 는 그냥 유지
Q 는 꾸준히 우상향
C 도 그냥 유지

1년 후 매출액을 예상해보자.
20년도 정통 266억 
          배터리 16억 
          나머지 252억
          전체 534억 / 104억 / 103억

21년도 정통 30% 인상 -> 328억   (4Q 90억 필요)
          배터리 50%인상 -> 25억   (4Q 5억 필요)
          나머지 10% 인상 -> 277억
           전체 -> 630억 (20%증가 4Q 162억 필요) / 130억 / 125억

22년도 정통 20% 인상 -> 414억
          배터리 70%인상 -> 40억~50억까지
          나머지 10%인상 -> 305억 
          전체 -> 760억 (17% 증가) / 152억(영익 20%) / 150억

25년도 정통 꾸준히 20%인상 -> 715억
          배터리 꾸준히 70%인상 -> 200억 *배터리 성장에 따라 per를 더 주게 되길..
          나머지 꾸준히 10%인상 -> 406억
          전체 -> 1321억 / 265억 / 260억

21년도 PER 10 : 125억 X 10 = 1250억 / 17860원 (제값받는중..하방은 단단)
22년도 PER 10 : 150억 X 10 = 1500억 / 21400원 (30% 업사이드)
25년도 PER 10 : 260억 X 10 = 2600억 / 37000원

21.2Q 현재
분기매출액 : 700억
분기영업어익 : 105억
당기순이익: 88억 

삼콘이 최대실적시절 18.4Q / 18년도
분기매출액 : 800억 / 2750억
분기영업이익 : 200억 / 810억
당기순이익: 140억 / 620억

->지금 21년 실적에서 18년도실적을 뽑으려면 영익/당기순이익 2배는 뽑이야하는데..
   매출은 어느정도 따라 잡았는데 영익/당순이 밀리는건 고정비용 효과 때문이려나. 
   18년도 운좋게 무라타 공장이 셧다운되서 공급부족으로 촉발. 실력이 아니라 운!!

유형자산이 90%이상 증가 -> 자산의증가 -> 자본의 증가 -> 같은 매출일 경우 ROE가 낮아짐
유형자산 투자한만큼 매출이 나와야함

유형자산이 90%이상 증가 -> 매출원가증가 -> 영업이익률 감소 

손익계산서 보면 매출원가, 판관비 30%씩 증가 -> 즉 비용이 30%증가했지만 매출액은 미비
그러니 현재 18년도 대비 영익/당순이 -50%씩인 상태

그러면 앞으로 오를것인가??

18년도 만큼의 ROE, 영업이익률 뽑으려면 
영익 200억 / 당기순이익은 200억은 뽑아야함. 현재의 2배의 매출을 과연 올릴수 있을것인가
 K-IFRS 연결기준 매출액 2,825 억원(YoY +16.5%), 영업이익 410 억원(YoY +51.3%)으로 실적이 개선될 것으로 예상된다. -> 영익이부족해

원재료 기준

원재료 가격은 가격은 변동이 없음. 원재료 수량은 점차 증가중 -> 생산비용낮아지는중
공장가동률은 97%에 육박 중 -> Q는 올라감

- 삼화콘덴서는 2019년 경기도 용인시에 450억 규모로 자율주행차용 첨단운전자지원시스템(ADAS) 등에 적용할 전장용 MLCC 생산공장을 구축하고 있으며, 2019년 말부터 가동을 시작함

매출액) 글로벌MLCC : 18조8300억 -> 삼성전자MLCC(24%) : 4조 5200억 -> 삼화콘덴서MLCC(0.8%) : 1500억
-> 현재 매출액도 1400억원. 크게 UpSide가 없음

판매가  10~20% 증가 -> P증가

C는 이미 몇년간 줄기차게 시설투자를 통해서 이제 점점 줄어들듯. 

Hashcode 수출실적 파악하기

18년 이후 급하락하였고, 꾸준히 수출금액은 올라오고 있음. 
하지만 유형자산이 증가하였기에 앞으로 2배는 더 벌어야 18년도를 느낄수 있음

P : MLCC단가 상승, 원재료금액은 유지 Good  -> 18년대비 20%
Q : 증설이후 풀 가동 Good  -> 18년 대비 30% 
C : 유형자산의 투자 및 증가(매출원가) Bad -> 18년 대비 -50%
현재 수출동향은 오르는중 -> 18년 대비 10%

시설투자 한거 대비 매출액을 뽑아내지 못하고 있음
앞으로 영익 150억은 뽑아줘야함!!! (3분기or4분기 영익 150억이면 고 아님 스톱)

예상분기 영익 150 -> 영익 600억까진 뽑아줘야함
예상분기 당기순이익 105 (영익의 70%)
전성기 PER : 15

105억* 4분기 * per 15
목표 시총 : 6300억 -> 60000원 답이 안나오네....

105억* 4분기 * per 20
목표 시총 : 8400억 -> 80000원 답이 안나오네....

하지만 현재 
연결기준 매출액 2,825 억원(YoY +16.5%), 영업이익 410 억원(YoY +51.3%)으로 실적이 개선될 것으로 예상된다
(my계산(21.2Q) : 400억/340억(영익의 85%) 280(영익의70%)

340억*per20 = 6800억 -> 65000원.....이것도 per를 높게 쳐준거임
200억*per20 = 4000억 -> 38000원.....흐미
사이클 산업은 고per가 저per될때까지(전성기per10)

*전장용MLCC 성 =>장 추이를 봐야함. 일본MLCC기업의 점유율을 뺏어와야됨. 
  LG전자 현대모비스와 함께 감. 전기차 및 자율주행 테마만 붙어주면 바로 x2 인데..쉽지 않아보임.

*앞으로 전략
21.3Q or 4Q에 분기영익150억 찍어주면 계속 밀고나가고
150억 못찍으면 판매. 그리고 150억 찍는 순가 다시 매매~! 그때부터 유형자산 투자의 효과가 나올것