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1.삼성전자
- 메모리반도체 : 정보를 저장하고 기억
-RAM : 읽고 쓰기, 휘발성메모리, 주기억장치, 일시적로딩, 일시적저장
-ROM : 읽기만, 비휘발성메모리. 입출력시스템, IC카드 - 비메모리반도체 : 연산추론 등 논리적인 정보처리 기능 수행(System LSI)
-CPU, 모바일용 AP제품, 이미지센서
영업의 개황
- 세계최초로 Multi-Step EUV 본격적용한 DRAM
- 7세대 V-NAND 채용 SSD
- 5나노 2세대 및 4나노 공정제품
2.하이닉스
- 메모리반도체 : 정보를 저장하고 기억
모바일수요, PC 및 서버 수요, 5G전환, 데이터센터 업체가 성장에 영향
-휘발성메모리(DRAM) : 전원이 끊어지면 정보가 지워짐.
컴퓨터 메인메모리, 동영상및게임구현을 위한 그래픽메모리,
가전제품의 디지털화,모바일용DRAM
-서버메모리 : 클라우딩컴퓨터, 기업데이터 클라우드 전환, 데이터센터확장
-비휘발성메모리(Flash메모리) : 전원이 끊겨도 저장된 정보가 남아있음
디지털비디오, 디지털사진등 대용량정보저장.
USB, MP3, 네비게이션,SSD, 모바일기기. 고객지향적인 제품 수요가 증가
클라우드, 고용량스마트폰, PC,콘솔게임 도입이 성장에 중요.
1)노어(NOR)형 (Code저장형)
2)낸드(NAND)형 (Data 저장형) : 디지털미디어 기기, USB, Flash카드, SSD (정보저장장치),
- 비메모리반도체 : 정보처리를 목적으로 제작되는 반도체. 아날로그, 로직, 마이크로, 디스크리트, 센서로 분리.
하이닉스는 CIS(CMOS Image Sensor) 생산
-CIS : 이미지센서는 빛 에너지를 감지하여 그 세기의 정도를 영상 데이터로 변환해주는 반도체소자.
디지털촬영기기에서 필름 역할
PC카메라, 블랙막스, 휴대폰카메라,감시카메라 + 스마트TV, AR, VR, 자율주행 핵심 부품
시장의 경쟁요소
- 범용제품 DDR3/DDR4
- 저전압/고속제품 LPDDR4/X, LPDDR5
- Specialty 제품
- LPDDR5, LPDDR4X 라인업
- 고용량/고성능/저전력
- 3D NAND 128단 -> 3D NAND 176단
- 0.8um pixel 48Mp->0.7um pixel 64Mp
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