코스텍시스 홈페이지&사업보고서

[홈페이지]

저열팽창 고방열 신소재, 

SiC,GaN 차세대 전력 반도체의 RF(Radio Frequency)패키지, 스페이서(Spacer), 써멀매치드 리드프레임(Thermal Matched Lead Frame)등 고방열 부품 제조

 독점 제품인 저열팽창 고방열 신소재 KCMC®는 SiC, GaN 차세대 반도체의 방열, 성능, 신뢰성, 내구성, 화재 및 폭발 방지등 차세대 반도체 특성에서 매우 중요한 역할

 

[사업보고서]

97년 설립.

23년 상장

xEV 전력 반도체용 수직 구조의 초소형 전류센서 개발”주관 연구기관 선정

블록본딩(Block Bonding) 센터 준공 및 첨단 반도체 패키징 공정 구축

반도체부품제조업

광소재부품 제조업

 

1.사업 개황

반도체의 전력 밀도와 발열 관리가 산업 전반의 핵심 기술 과제로 부각

데이터 처리량, 전력소비증가 -> 전력효율, 열 제어 기술 중요

반도체 패키징 기술, 전력효율, 열관리, 시스템 안정성 중요

 

2. 와이드밴드갭(WBG) 반도체 특성과 시장

실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 기반의 와이드 밴드갭(Wide Bandgap, WBG) 반도체가 차세대 전력 반도체 기술

WBG 반도체는 높은 전압과 높은 온도, 높은 주파수 환경에서도 안정적으로 작동

전기차(EV), 신재생에너지, 데이터센터 전력 시스템, 산업용 전력 장치 등 다양한 분야에서 적용이 확대

 

3.와이드밴드갭 반도체 주요 특징

- 높은 전력 밀도 구현
- 높은 동작 온도
- 빠른 스위칭 속도
- 낮은 전력 손실
- 높은 주파수 동작 가능
- 시스템 소형화 및 에너지 효율 향상
- 높은 신뢰성과 내구성

열팽창 계수 제어하는 Thermal Matching 기술, 효율적인 열관리 기술이 필수

 

4.반도체 패키징 기술 구조 변화

와이어 본딩(Wire Bonding) ->금속 블록 기반 연결 구조(Block Bonding)로 전환

구리 블록(Cu Block), 구리 클립(Cu Clip) 및 구조형 금속 인터커넥트를 활용하여 반도체 칩을 직접 연결하는 블록 본
딩(Block Bonding) 구조가 확대 -> 전류전달경로 단축, 전기적 손실 줄여. 열전달 개선. 고전력밀도환경에서 안정적 동작

 

5. AI데이터센터 전력 모듈 시장

AI 데이터센터의 전력 소비가 빠르게 증가->전력반도체 기술 중요

SiC 및 GaN 기반 전력 반도체와 고전력 패키징 기술이 AI 데이터센터 전력 시스템의 핵심 기술

 

6.코스텍시스 기술경쟁력

Thermal Platform Company 전략 : 패키징에서 전기적 인터페이스+열관리 인터페이스 동시 설계하는 Thermal Platform 기술

반도체 패키징용 방열소재 및 구조 부품 개발 생산, 열관리 성능과 장기신뢰성 향상

이를 기반으로 당사는 RF 통신 패키지, 전력 반도체용 스페이서(Spacer), 방열 베이스플레이트(Baseplate), 레이저 및 광반도체 패키지 등 다양한 제품군을 개발하고

우주항공: RF 전력 트랜지스터용 패키지를개발·생산

전력반도체:SiC 및 GaN 기반 전력 반도체 모듈에 적용되는 방열 스페이서 및 구조 부품을 공급 

->전력반도체를 생산하는게 아니라 핵심부품 공급

레이저 및 광반도체 패키징:고출력 레이저 시스템용 냉각 플랫폼을 개발

 

7.성장전략

RF 통신 패키지와 전력 반도체 패키징 부품을 중심으로 사업

고전력 반도체 패키징 및 열관리 솔루션 분야로 사업 영역을 확대

 

9.영업

매출의 상당 부분이 해외 시장에서 발생