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●DRAM에서의 EUV 양산
●DRAM Capacitor 종횡비 증가가 야기하는 High-K 전구체의 재료변화
●이를 증착하기위한 ALD장비 수요 증가
●176단 3D NAND를 2 Stacked 기술로 양산
●공정 Parts의 변화 - SiC Ring 수요증가
●New Hard Mask로의 재료 변화
●증착장비 및 Strip장비 수요 추세적 증가
●GAA구조 본격화
●낮은 저항을 가진 Metal (코발트 배선)
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